公司新闻-苏州联讯仪器股份有限公司

新突破：单波224Gbps采样示波器和时钟恢复单元—解锁1.6T AI算力接口眼图测试

2025.04.26

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联讯课堂 | 揭示碳化硅器件可靠性：HTGB/HTRB老化特性与失效模式解析

2025.05.27

碳化硅（SiC）MOSFET作为新一代宽禁带半导体器件，正在引领电力电子技术的革命性发展。相较于传统硅基器件，SiC MOSFET展现出显著的技术优势：其禁带宽度是硅材料的3倍，临界电场强度高出近一个数量级，这使得器件可以采用更薄且高掺杂的漂移层设计，从而大幅降低导通电阻、提升能量转换效率并减少热损耗。

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新品推介 | 联讯仪器4通道PXIe SMU S2019C，以1μV/1pA分辨率实现超高精度测试

2025.05.15

联讯仪器最新推出的S2019C四通道PXIe SMU，在保持S2011C/S2012C/S2016C系列硬件平台优势的基础上，实现了功能升级与性能突破。

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联讯课堂|晶圆允收测试 (WAT)概述

2025.03.21

WAT（晶圆允收测试）是晶圆制造过程中至关重要的过程控制监测（PCM）工具，在半导体产品质量和良率方面发挥着决定性作用。它能够提供局部（晶圆特定）和全局（晶圆到批次或批次到批次）的统计数据，为制造过程的优化提供关键支持

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匠心铸就卓越|联讯仪器成立八周年

2025.03.15

联讯仪器自2017年创立以来，始终致力于成为测试测量领域的创新引擎。公司深耕高速通信、光芯片、电芯片及车规级SiC晶圆芯片测试等前沿领域，通过持续的技术创新和工艺突破，构建起完整的测试解决方案体系。

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联讯仪器12通道PXIe SMU，1μV/1pA极小分辨率，探索高密度测量新边界

2025.02.26

联讯仪器PXIe SMU 12通道精密源表模块全新升级，以1μV/1pA极小分辨率与1MS/s采样率重新划定了高密度集成与高动态响应场景下的测试极限，为光通信、半导体行业升级注入了强劲的创新动能。

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浅析光通速率提升的3个维度

2025.02.10

当前，实现1.6Tbps速率的技术主要采用200Gbps/lane的方案，且未来有望进一步提升。为了探索更高速率的实现路径，我们可以从改进调制方式、提升符号速率以及增加单根光纤中的波长或光纤数量这三个维度进行思考和讨论

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联讯课堂 | 2025年功率半导体的五大发展趋势

2025.01.13

2024 年功率半导体行业的销售额高达 468 亿美元，与 2023 年相比下降了 8%。展望 2025 年的潜在增长机会，市场面临着一些挑战，包括汽车行业（尤其是电动汽车）的需求低于预期、地缘政治的不确定性加剧了工业应用的低迷，以及消费市场的疲软。更重要的是，目前行业参与者依然保持大规模投资扩充产能的势头，这些挑战对行业来说不容乐观。

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联讯仪器高压低漏电开关矩阵RM1013-HV，满足功率半导体参数测试应用！

2024.11.25

随着人工智能、新能源汽车、物联网等新兴领域的蓬勃推进，宽禁带半导体材料——尤其是碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）——凭借其卓越性能迎来了迅猛的发展势头。为了深入剖析并精确测量这些先进器件的各项参数及特性，进而提升其效率与可靠性，联讯仪器最新推出了10x24高压低漏电开关矩阵——RM1013-HV，能够在小于300pA的偏置电流满足3000V高压测量，完成各种高精度的半导体表征测试。

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