车规Sic晶圆级可靠性测试-苏州联讯仪器股份有限公司

晶圆可靠性测试在车规级SiC芯片的必要性：

根据浴盆曲线理论任何电子元件在生命周期的初期会有一个高故障率，随着时间的推移故障率会明显下降到稳定期。

车规SiC功率模块和普通的TO封装器件不同，普通的TO封装器件内部只有一颗DIE，如果失效只需替换单颗器件就可以了，但是车规SiC功率模块内部保护十几颗到几十颗DIE，如果有一颗DIE失效整个模块性能就会受到影响。所以如果可以把不良DIE提前从晶圆上就筛选出来可以大大提升封装成模块的良率和模块的生命周期。

联讯提供了晶圆老化整套的解决方案包含CP-上料机-晶圆老化-下料机-KGD解决了封装成模块之前的全套测试方案。

晶圆老化机: WLR3500参数

适用于GaN, SiC车规晶圆老化

最多支持12个GB或6个GB&RB晶圆同时老化

每个抽屉独立控温独立加电

HTGB电压+/-50V，HTRB电压3000V

整套系统最多支持8544（712*12）个通道（HTGB）

老化中测试漏电流分辨率0.1nA

完善的硬件电路保护每一路电路

高可靠性的>4Bar大气压的气体保护

支持Igss, Idss, Vth测试

温度范围RT-200C

软件支持test plan调表式配置

软件支持自动判定pass/fail

软件支持按客户定义规则分bin，并生成相应的map图

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