公司新闻-苏州联讯仪器股份有限公司

新突破：单波224Gbps采样示波器和时钟恢复单元—解锁1.6T AI算力接口眼图测试

2025.04.26

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联讯课堂 | 硅光晶圆测试的关键核心：高性能光学耦合方案解析

2025.10.13

目前业界主要采用三种耦合方案：表面垂直耦合的光栅耦合、边缘水平对接的端面耦合，以及集二者所长的混合方案。针对几种主流耦合方式，联讯仪器sCT900x硅光晶圆测试系统提供了完整的测试解决方案，全面覆盖不同工艺平台的测试需求。

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WBG半导体器件动态测试方法研究

2025.08.01

WBG半导体器件（SiC、GaN等）相较于传统硅基器件展现出卓越的性能优势，包括更高的工作频率、更低的开关损耗，优异的高温工作能力以及出色的耐压特性等。为确保SiC等器件长期稳定可靠的工作，业界实施了严苛的生产测试方式，包括长时间老化（HTGB和HTRB）、动态和静态测试，以及KGD测试等。

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解决方案 | 联讯仪器误码仪产品线：助力高速通信测试

2025.07.15

联讯仪器PBT3058针对性地提供了丰富的测试功能项，实现了最新协议要求的测试速率、码型、FEC纠错分析、更强的信号调理单元，以及自动均衡训练算法。我们将BERT端口以Remote Head形式做成射频选件，尽可能保证测试链路的低损耗，以及硬件选件的灵活组合。

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源表应用拓展：四探针法测电阻率

2025.06.13

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联讯仪器推出单波224Gbps误码分析仪—满足1.6T算力接口误码测试需求

2025.06.09

作为国内率先推出并送样1.6T误码仪方案的供应商,联讯为下一代高速光模块的测试应用提供了完善的系统解决方案。

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揭示碳化硅器件可靠性：HTGB/HTRB老化特性与失效模式解析

2025.05.27

碳化硅（SiC）MOSFET作为新一代宽禁带半导体器件，正在引领电力电子技术的革命性发展。相较于传统硅基器件，SiC MOSFET展现出显著的技术优势：其禁带宽度是硅材料的3倍，临界电场强度高出近一个数量级，这使得器件可以采用更薄且高掺杂的漂移层设计，从而大幅降低导通电阻、提升能量转换效率并减少热损耗。

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联讯仪器4通道PXIe SMU S2019C，以1μV/1pA分辨率实现超高精度测试

2025.05.15

联讯仪器最新推出的S2019C四通道PXIe SMU，在保持S2011C/S2012C/S2016C系列硬件平台优势的基础上，实现了功能升级与性能突破。

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联讯课堂|晶圆允收测试 (WAT)概述

2025.03.21

WAT（晶圆允收测试）是晶圆制造过程中至关重要的过程控制监测（PCM）工具，在半导体产品质量和良率方面发挥着决定性作用。它能够提供局部（晶圆特定）和全局（晶圆到批次或批次到批次）的统计数据，为制造过程的优化提供关键支持

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