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半导体参数测试

WAT6300

WAT串行高压半导体参数测试系统


WAT6300是一台串行高压半导体参数测试系统,可灵活配置Pin数,最多支持24Pin,兼容市场主流WAT程序探针卡、应用等。

特点


  • 高精度

    电流测量精度< 1pA, 分辨率1fA, 低压最大范围1A,高压最大范围120mA; 电压测量精度<50μV,分辨率100nV,最大范围3500V
  • 支持多种晶圆的WAT测试

    支持 Si/GaN/SiC
  • 灵活配置Pin数

    最多支持24Pin,可灵活配置Pin数
  • 自研SMU

    基于商用或联讯仪器自研SMU板卡
  • 电容测试频率

    1kHz到1MHz,100fF到100nF测量范围
  • 支持所有主流Prober

    TEL P8XL/P12/P12XL/Precio XL, TSK UF200/UF3000/UF3000EX等
  • 高适配、全兼容

    适配Keysight 4070/4080机台所用的探针卡
    并兼容测试程序和Algo算法
  • 高效的ptSemight软件环境

    软件支持SECS/GEM,可接入客户EAP





系统功能

参数/配置 功能
系统pin数 3 - 24 pin
SMU数量 3-8个
标准SMU 200 V/1 A
Chuck Bias SMU 3500 V/120mA
开关矩阵 低压:14x36,<100 fA漏电流(低漏电通道)
高压:4合1,<100 pA 漏电流
最小电压分辨率 100 nV
最小电流分辨率 1 fA
最高采样速度 1 M/s
最小电流测量精度 1 pA
最小电压测量精度 50 μV
典型漏电流 <1 pA
电容范围 100 nF
电容测量精度 0.5%








主要测量项目

Id-Vd, Id-Vg, Vth, BV, Ig, Ioff, Gm
MIM_CAP, C & G
Ic-Vc, BETA, BV
Ron, R_tlm, Rsh_van
Spot, Sweep, Search
Kelvin & Non-Kelvin
Differential Voltage
Frequency
HCI, BTI/NBTI, TDDB
DUT类型 MOSFET,BJT, Diode, Resistor, Capacitor等
探针卡适配器 兼容 Keysight 4070/4080 系列探针卡
工厂自动化 SECS/GEM (E5/E30/E37/E84/E90/E94)


DC测量指标

电压源/表指标

电压精度

量程

分辨率

精度(1年)±(%读数+偏置)

典型噪声(有效值)

0.1 Hz-10 Hz

±200 V

100 μV

0.03%+10 mV

400 μV

±40 V

10 μV

0.03%+2 mV

100 μV

±20 V

10 μV

0.03%+1 mV

50 μV

±2 V

1 μV

0.03%+100 μV

10 μV

±0.6 V

100 nV

0.03%+50 μV

2 μV

温度系数

±(0.15×精度指标)/℃(0℃-18℃,28℃-50℃)

设置时间

<100 μs(典型值,Normal,步进是范围的10%至90%)

过冲

<±0.1%(典型值,满量程点,电阻性负载测试)

电流源/表指标

电流精度

量程

分辨率

精度(1 年)

±(%读数+偏置)

典型噪声(有效值)

0.1 Hz-10 Hz

±1 A

100 nA

0.03% + 90 μA

3 μA

±100 mA

10 nA

0.03% + 9 μA

200 nA

±10 mA

1 nA

0.03% + 900 nA

20 nA

±1 mA

100 pA

0.03% + 90 nA

2 nA

±100 μA

10 pA

0.03% + 9 nA

200 pA

±1 μA

100 fA

0.03% + 200 pA

10 pA

±10 nA

10 fA

0.06% +9 pA

300 fA

±1 nA

1 fA

0.1% +3 pA

60 fA

±100 pA

1 fA

0.3% +1 pA

30 fA

温度系数

±(0.15×精度指标)/℃(0℃-18℃,28℃-50℃)

设置时间

<100 μs(典型值,Normal,步进是范围的10%至90%)

过冲

<±0.1%(典型值,满量程点,电阻性负载测试)


高压SMU-S3030F

电压源/表指标

电压精度

量程

测量分辨率

精度(1年)±(%读数+偏置)

典型噪声(有效值)

0.1 Hz-10 Hz

±3500 V

40mV

0.02%+600 mV

50 mV

±2500 V

30mV

0.02%+450 mV

40 mV

±1500 V

20mV

0.02%+300 mV

25 mV

±600 V

7mV

0.02%+120 mV

10 mV

±200 V

3mV

0.02%+40 mV

3 mV

温度系数

±(0.15×精度指标)/℃(0℃-18℃,28℃-50℃)

设置时间

<5 ms(典型值,Normal,步进是范围的10%至90%)

过冲

<±0.1%(典型值,满量程点,电阻性负载测试)

 

电流源/表指标

电流精度

量程

测量分辨率

精度(1 年)

±(%读数+偏置)

典型噪声(有效值)

0.1 Hz-10 Hz

±120 mA1

3 uA

0.02% + 35 μA

120 uA

±20 mA

400 nA

0.02% + 15 μA

20 uA

±10 mA

200 nA

0.02% + 3 uA

10 uA

±1 mA

20 nA

0.02% + 300 nA

1 uA

±100 μA

2 nA

0.02% + 30 nA

100 nA

±10 μA

200 pA

0.03% + 5 nA

10 nA

±1 μA

20 pA

0.03% + 1 nA

1 nA

±100 nA

2 pA

0.2% +100 pA+Vo x 100 fA

100 pA

±10 nA

200 fA

0.2% + 10 pA+ Vo x 10 fA

10 pA

±1 nA

20 fA

0.2% + 5 pA+ Vo x 1 fA

1 pA

温度系数

±(0.15×精度指标)/℃(0℃-18℃,28℃-50℃)

设置时间

<10 ms(典型值,Normal,步进是范围的10%至90%)

过冲

<±0.1%(典型值,满量程点,电阻性负载测试)

精度测量条件:温度 23±5度,湿度35%-60%,系统运行时间1小时,积分时间为LONG(100nA以下)



电容测量指标:

频率

C量程

电容测量精度

电导测量精度

1 MHz

1 nF

2.0%

2.0%

100 pF

1.0%

2.0%

10 pF

1.0%

2.0%

100 kHz

1 nF

0.5%

1.0%

100 pF

0.5%

1.0%

10 pF

0.5%

1.0%

10 kHz

1 nF

0.3%

0.5%

100 pF

0.3%

0.5%

10 pF

0.5%

0.5%

1 kHz

1 nF

0.3%

0.5%

100 pF

0.3%

1.0%

10 pF

1.0%

1.0%

Note:

*Cm 为电容测量值,Gm 为电导测量值,F 为频率
*Dissipation D = Gm/(2*F*Cm)
*电容测量使用Keysight E4980AL; 测量条件:Vrms=30mV,bias=0V,Integration time=LONG,AVG=1


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