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半导体参数测试

WAT6600

WAT并行半导体参数测试系统


WAT6600 是一台并行半导体参数测试系统,可灵活配置Pin数,最多支持48Pin,兼容市场主流WAT程序探针卡、应用等。

特点

  • 支持Si/GaN/SiC晶圆的WAT测试


  • 灵活配置Pin数

    最多支持48Pin全开尔文连接
  • PINBOARD板卡完全自研

    支持per-pinSMU和per-pinSPGU
  • 高精度

    电流测量精度<1pA,分辨率1fA,最大范围1A 电压测量精度<50μV,分辨率100nV,最大范围200V
  • 测量范围精准

    电容测试频率1kHz到1MHz,100fF到100nF测量范围
  • SPGU输出电压±40V

    输出频率0.1Hz~5MHz
  • 漏电流

    整机漏电流小于500fA
  • 高适配、全兼容

    支持所有主流Prober(TEL P8XL/P12/P12XL/Precio XL,TSK UF200/UF3000/UF3000EX等)


系统功能

参数/配置

功能

系统pin数

3-48pin

SMU数量

3-48通道

SPGU数量

3-48通道

标准SMU

200 V/1 A

Chuck Bias SMU

200 V/1 A

最小电压分辨率

100nV

最小电流分辨率

1 fA

最高采样速度

1 M/s

最小电流测量精度

1 pA

最小电压测量精度

50 μV

典型漏电流

<500 fA

电容测量范围

100 nF

电容测量Bias电压

±40V 

典型电容测量精度

0.5%

SPGU输出幅值

±40V(开路)

SPGU输出频率

0.1Hz ~5MHz   

主要测量项目

Id-Vd,Id-Vg,Vth,BV,Ig,Ioff,Gm

MIM_CAP,C & G

Ic-Vc,BETA,BV

Ron,R_tlm,Rsh_van

Spot,Sweep,Search

Kelvin & Non-Kelvin

Differential Voltage

Frequency

HCI,BTI/NBTI,TDDB

DUT类型

MOSFET,BJT,Diode,Resistor,Capacitor等

探针卡适配器

兼容Keysight 4070/4080系列探针卡

工厂自动化

SECS/GEM (E5/E30/E37/E84/E90/E94)


DC测量指标

电压源/表指标

电压精度

量程

分辨率

精度(1年)±(%读数+偏置)

典型噪声(有效值)

0.1 Hz-10 Hz

±200 V

100 μV

0.03%+10 mV

400 μV

±40 V

10 μV

0.03%+2 mV

100 μV

±20 V

10 μV

0.03%+1 mV

50 μV

±2 V

1 μV

0.03%+100 μV

10 μV

±0.2 V

100 nV

0.03%+50 μV

5 μV

温度系数

±(0.15×精度指标)/℃(0℃-18℃,28℃-50℃)

设置时间

<100 μs(典型值,Normal,步进是范围的10%至90%)

过冲

<±0.1%(典型值,满量程点,电阻性负载测试)

电流源/表指标

电流精度

量程

分辨率

精度(1 年)

±(%读数+偏置)

典型噪声(有效值)

0.1 Hz-10 Hz

±1 A

100 nA

0.03% + 90 μA

3 μA

±100 mA

10 nA

0.03% + 9 μA

200 nA

±10 mA

1 nA

0.03% + 900 nA

20 nA

±1 mA

100 pA

0.03% + 90 nA

2 nA

±100 μA

10 pA

0.03% + 9 nA

200 pA

±10 μA

1 pA

0.03% +1 nA

30 pA

±1 μA

100 fA

0.03% + 200 pA

10 pA

±100 nA

100 fA

0.06% +30 pA

5 pA

±10 nA

10 fA

0.06% +9 pA

300 fA

±1 nA

1 fA

0.1% +3 pA

60 fA

±100 pA

1 fA

0.3% +1 pA

30 fA

温度系数

±(0.15×精度指标)/℃(0℃-18℃,28℃-50℃)

设置时间

<100 μs(典型值,Normal,步进是范围的10%至90%)

过冲

<±0.1%(典型值,满量程点,电阻性负载测试)

精度测量条件:温度 23±5度,湿度35%-60%,系统运行时间1小时,积分时间为LONG(1nA以下)


电容测量指标:

频率

C量程

电容测量精度

电导测量精度

1 MHz

1 nF

2.0%

2.0%

100 pF

1.0%

2.0%

10 pF

1.0%

2.0%

100 kHz

1 nF

0.5%

1.0%

100 pF

0.5%

1.0%

10 pF

0.5%

1.0%

10 kHz

1 nF

0.3%

0.5%

100 pF

0.3%

0.5%

10 pF

0.5%

0.5%

1 kHz

1 nF

0.3%

0.5%

100 pF

0.3%

1.0%

10 pF

1.0%

1.0%

Note:

*Cm 为电容测量值,Gm 为电导测量值,F 为频率
*Dissipation D = Gm/(2*F*Cm)
*电容测量使用Keysight E4980A 或同惠TH2838; 测量条件:Vrms=30mV,bias=0V,Integration time=LONG,AVG=1



SPGU脉冲源指标:

项目

测试条件

技术指标

电压幅值

50Ω负载

-20V ~ +20V

开路

-40V ~ +40V

输出电压精度

开路

±(1%+100mV)

电压幅值分辨率

50Ω负载

2.5mV

开路

5mV

输出接口

 

BNC/pogoset

内阻

 

50Ω ± 1%

输出电流

 

800 mA峰值 (400 mA 均值)

输出过冲(振铃)

50Ω负载

±(5%+20mV)



项目

子项目

技术指标

频率范围

 

0.1Hz ~5MHz

脉冲周期

可编程范围

200ns ~ 10s

分辨率

50ns

精度

±1%(0.01%+200ps)

脉冲宽度

可编程范围

100ns ~(脉冲周期 -100ns)

分辨率

50ns

精度

±(5%+2ns)

脉冲过程时间(Tr和Tf)

最小值(10%~90%边沿)

<100ns




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