特点
自动/半自动
支持全自动与半自动方式上下晶圆片晶圆尺寸
支持6/8寸晶圆(可定制4寸、12寸)测试温度
支持测试温度范围室温~150 ℃(其它温度可定制)测试功能
支持光光测试,光电测试,电电参数测试DC/AC
支持DC与AC测试光栅耦合
支持光栅、FA耦合以及边缘耦合高效率
针对不同类型芯片,支持快速更换不同类型针卡软件功能
软件支持增加客户数据库与MES功能功能与优势
高精度探针台
•晶圆上料模式支持全自动模式与半自动模式作业,适用于实验室验证与大规模量产使用;耦合测试模组:
•耦合测试模组包含耦合光探针、DC直流探针与RF射频探针;测试参数
参数类型 |
测试参数 |
参数指标 |
定义 |
O/O |
Insert Loss |
dB/cm |
插入传输损耗 |
Coupling Strength |
% |
耦合效率,DUT接收到的光功率与入射光功率的比值 |
|
Polarization Dependent Loss |
dB |
偏振相关损耗, 指传输光信号的偏振态在全偏振态变化时,不同偏振态通过DUT后最大功率与最小功率的比值 |
|
Wavelength Scan |
dBm |
全波长扫描 |
|
3dB bandwidth |
Hz |
3dB带宽测试 |
|
O/E |
PD Responsivity |
A/W |
PD响应度,PD探测器将接收到的光转换成电流的效率 |
Modulator ER |
dB |
静态消光比,调制器在不同偏置电压下吸收后光功率的最大值与最小值的比值 |
|
E/E |
PD Dark Current |
nA |
PD暗电流,在无光条件下对PD增加偏置电压测得的反馈电流 |
Heat Resistance |
Ω |
热阻抗 |
系统测试指标
序号 |
规格 |
指标 |
1 |
支持晶圆尺寸 |
6寸~8寸(可订制4寸、12寸) |
2 |
温度范围 |
RT~150℃ |
3 |
温度均匀性 |
<±0.5℃ |
4 |
25℃→150℃ |
<15 mins |
5 |
150℃→25℃ |
<30 mins (手动台) |
6 |
上下料方式 |
自动与手动 |
7 |
单次耦合时间 |
<2s(扫描轨迹长度<300μm) |
8 |
耦合重复误差 |
<0.2dB (单一通道) |
9 |
测试类型 |
DC测试,可升级支持AC |
10 |
测试项目 |
O/O,O/E,E/E |
11 |
带宽测试偏差 |
<1.5G |
12 |
Wafer Map功能 |
可编辑且自动生成Map,且显示每个Die坐标 |
13 |
分Bin功能 |
支持分Bin,多种颜色区别测试结果,且显示不同颜色数量与比例 |
14 |
自动清针功能 |
支持 |
15 |
CCD自动聚焦功能 |
支持 |
16 |
相机监控画面 |
支持低倍与高倍画面 |
17 |
EMI屏蔽 |
>20dB @1KHz-1MHz |
18 |
光谱噪声基底 |
≦150dBVrms/rtHz(≦1MHz) |
19 |
系统AC噪声 |
≦15mVp-p(≦1GHz) |
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