SiC KGD测试分选系统-苏州联讯仪器股份有限公司

SiC 功率器件迅速发展

功率半导体器件是电子装置电能转换与电路控制的核心器件，本质上，是通过利用半导体的单向导电性实现电源开关和电力转换的功能，无论是水电、核电、火电还是风电，甚至各种电池提供的化学电能，大部分无法直接使用，需由功率半导体器件进行功率变换以后才能供设备使用。功率半导体器件可广泛应用于变频、变相、变压、逆变、整流、增幅、开关等场合，能显著降低系统功耗，被广泛应用于电动汽车、通信、消费电子等工业领域。

SiC 基功率器件在大功率应用场景具备天然优势，以 SiC 为代表的第三代半导体材料禁带宽度大，具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高等优势，因此采用 SiC 制备的半导体器件在高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等应用领域优势独特。

Yole预测，受新能源汽车和光伏领域应用的强烈推动，SiC功率器件市场规模将从2021 年的 10.90 亿美元增至 2027 年的 62.97 亿美元，CAGR 达 34%。

Known Good Die 测试

KGD(Known Good Die)通过测试等方法，在封装之前剔除前工序生产的具有缺点隐患及失效的芯片(芯粒、籽芯、管芯)，提高封装后良率以及满足高密度多芯片封装，降低生产成本，加快产品尽快推向上市。

联讯仪器SiC KGD测试分选系统 PB6600

装置分离、强扩展性，上下料部分的处理装置与测试部分分离，扩展性极强

六路并行测试，最多支持6个测试站，不同测试站支持不同的测试条件和项目

静态测试 2000V/600A，动态测试 1200V/2000A

测试结果精准，室温 ~ 200 ℃：精度＜±3℃，分辨率0.1℃

采用hard docking，系统杂散电感≤50nH

氮气压力检测，探针卡采用密封腔设计，防止电弧产生

UPH能力超过1400pcs，单测试站测试时间≤1秒

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