4月25日，由台湾电子设备协会联手国立台湾大学工学院共同举办的第三届化合物半导体国际论坛在台北南港展览馆圆满落下帷幕。本届论坛旨在推动化合物半导体产业在台湾的前进，邀请了海内外重量级讲师就“化合物半导体”的应用市场、制造设备、测试设备以及第四代化合物半导体等相关话题进行交流。

联讯仪器市场副总林甲威作为特邀嘉宾参加了本次论坛，发表《Semight Turn-Key Solution for SiC Test and Reliability》的专题演讲，分享联讯仪器在SiC测试方面的完整方案和专业经验。

                                                             （联讯仪器市场副总 林甲威）

本届论坛主题为“化合物半导体”，邀请了ROHM、SiCEV、Coherent、Infineon、Yole Intelligence等各国大厂专家，针对新世代化合物半导体技术趋势提供专业资讯。根据专业人士预测，SiC产业在2023——2029年间，以25%的年复合成长率快速增长，中国产能占比将大幅提升。

众所周知，SiC 具有很强的击穿力场和更高的导热率，使得器件可以在高电压和高达175℃的环境下高效运转。但目前SiC制造存在很明显的可靠性问题。比如较多的外在缺陷，阈值电压的漂移，SiC MOSFET 的短路能力、双极退化减少SiC器件的有源面积等等。

多年来，联讯仪器深耕SiC制造与测试流程中的核心领域，坚持核心仪表自主研发，接连推出高压串行参数测试系统WAT6300、晶圆级老化系统WLBI3800、 KGD测试分选机PB6400、Multi-site晶圆级可靠性测试设备 WLR0010等SiC相关测试设备，为SiC材料的研发、生产和应用提供了全方位的交钥匙解决方案。

联讯仪器长期保持高强度的研发投入，现有研发及生产场地超过20000㎡，研发人员占比超过50%，研发投入占比达到30%，是业内领先的SiC晶圆老化、KGD测试系统供应商，为我国解决高端测试仪器设备“卡脖子”问题做出卓越贡献。