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功率芯片测试

PB6600

SiC KGD测试分选系统


联讯仪器 PB6600 KGD测试系统主要用于功率芯片 Die-level 动态和静态测试,实施芯片性能指标筛选,提高封装后模块的良品率。根据客户要求,可支持定制开发。



特点

  • 装置分离、强扩展性

    上下料部分的处理装置与测试部分分离,扩展性极强
  • 六路并行测试

    最多支持6个测试站,
    不同测试站支持不同的测试条件和项目
  • 支持动态、静态测试

    静态测试 2000V/600A ,
    动态测试 1200V/2000A
  • 测试结果精准

    室温 ~ 200 ℃:精度<±3℃,
    分辨率0.1℃
  • 采用hard docking 

    系统杂散电感≤50nH
  • 氮气压力检测

    探针卡采用密封腔设计,防止电弧产生
  • UPH能力超过1400pcs

    单测试站测试时间≤1秒


静态测试

测试类型

项目

说明

静态测试参数

Vds

Drain - Source Voltage

Vth

Gate Threshold Voltage

Idss

Zero Gate Voltage Drain Current

Igss

Gate-Source Leakage Current

Rds(on)

Drain-Source On-State Resistance

Vsd

Diode Forward Voltage


动态测试

测试类型

项目

说明

UIS 测试参数

Rint

Gate Input Resistence

Ciss

Input Capacitance

Coss

Output Capacitance

Crss

Reverse Transfer Capacitance

Eoss

Coss Stored Energy

交流电特性

Isc

Short-circuit Current

Td(on)

Turn-On Delay Time

Tr

Rise Time

Tf(off)

Turn-Off Delay Time

Tf

Fall Time

Eon

Turn Off Switching Energy

Eoff

Fall Time

Trr

Reverse Recovery Time

Qrr

Reverse Recovery Charge

Irrm

Peak Reverse Recovery Current

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