功率芯片测试
PB6600
SiC KGD测试分选系统
特点
模块化柔性设计
上下料可定制化设计,可扩展性强六路并行测试
最多支持2个温区测试支持动态、静态测试
静态测试 2000V/600A测试结果精准
室温 ~ 200 ℃:高温温度稳定性≤±3℃,采用Hard Docking
系统杂散电感≤50nH氮气压力检测
加电针卡采用气密设计UPH能力超过1400pcs
单测试站测试时间≤1秒
类型 |
参数 |
指标 |
备注 |
基本参数 |
适用裸Die尺寸 |
2.5*2.5mm-8*8mm |
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适用裸Die厚度 |
100-400μm |
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综合搬运精度 |
±30μm |
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控温能力 |
温度范围 |
室温~185℃ |
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温度分辨率 |
0.1℃ |
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温度稳定性 |
≤±3℃ |
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视觉检测能力 |
外观检测精度 |
≥12μm |
要求缺陷成像灰度与周边对比度超过40以上 |
缺陷检测项目 |
正面/背面:划痕、脏污、异物、炸点、缺角、崩边 |
可支持正面划痕(长度>30um,宽度>12um)、脏污(30um以上)、异物(30um)、炸点(30um)等缺陷检测,支持背面崩边(12um)、缺角(12um)脏污(30um)、划痕(长度>30um,宽度>12um)、残胶(30um)等缺陷检测,具体缺陷阈值需根据客户实际产品工艺的情况来定义,软件可标记缺陷位置并保留缺陷图片。 |
|
侧面:崩边 |
支持侧面切割黑线(宽度>12um,长度>30um)、崩边(深度>30um,宽度>20um)等缺陷检测。 |
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稳定性 |
MTBF |
>168H |
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MTBA |
>2H |
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MTTA |
5 min |
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MTTR |
< 30 min |
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|
掉料率 |
≤0.01% |
|
|
碎片率 |
≤0.01% |
搬运造成 |
|
针痕深度 |
≤2μm |
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Drain极开尔文 |
≤2Ω |
TiNiAg材质 |
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测试效率 |
单die |
≥1400pcs/h |
测试时间≤1s |
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