功率芯片测试
PB6600
SiC KGD测试分选系统
特点
装置分离、强扩展性
上下料部分的处理装置与测试部分分离,扩展性极强六路并行测试
最多支持6个测试站,支持动态、静态测试
静态测试 2000V/600A ,测试结果精准
室温 ~ 200 ℃:精度<±3℃,采用hard docking
系统杂散电感≤50nH氮气压力检测
探针卡采用密封腔设计,防止电弧产生UPH能力超过1400pcs
单测试站测试时间≤1秒
类型 |
参数 |
指标 |
备注 |
基本参数 |
适用裸Die尺寸 |
3*3mm-8*8mm |
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适用裸Die厚度 |
100-400um |
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综合搬运精度 |
±30um |
|
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控温能力 |
温度范围 |
室温~185℃ |
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温度分辨率 |
0.1℃ |
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|
温度稳定性 |
≤±3℃ |
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视觉检测能力 |
外观检测精度 |
≥12um |
要求缺陷成像灰度与周边对比度超过40以上 |
缺陷检测项目 |
正面/背面:划痕、脏污、异物、炸点、缺角、崩边 |
|
|
侧面:崩边 |
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||
稳定性 |
MTBF |
>168H |
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MTBA |
>2H |
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MTTA |
5 min |
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MTTR |
< 30 min |
|
|
掉料率 |
≤0.01% |
|
|
碎片率 |
≤0.01% |
搬运造成 |
|
针痕深度 |
≤2um |
|
|
Drain极开尔文 |
≤2Ω |
TiNiAg材质 |
|
测试效率 |
单轨 |
≥500 |
测试时间≤1s |
双轨并测 |
≥900 |
测试时间≤1s |
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