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功率芯片测试

PB6600

SiC KGD测试分选系统


联讯仪器PB6600是一款广泛应用于半导体行业的高端KGD测试分选系统,专注于裸Die级SiC功率芯片动静态参数测试。采用模块化设计,支持Frame Ring、Tape&Reel以及Tray 等多种芯片来料方式。支持Hard Docking连接方式及多站常高温测试,具备高压防打火功能。专业的测试针卡设计,通流能力大,针痕可控,测试稳定性高。具备下料分Bin功能,支持分Bin方式定制化选择。



特点

  • 模块化柔性设计

    上下料可定制化设计,可扩展性强
  • 六路并行测试

    最多支持2个温区测试
    不同测试站支持不同的测试条件和项目
  • 支持动态、静态测试

    静态测试 2000V/600A
    动态测试 1200V/2000A
  • 测试结果精准

    室温 ~ 200 ℃:高温温度稳定性≤±3℃,
    分辨率0.1℃
  • 采用Hard Docking 

    系统杂散电感≤50nH
  • 氮气压力检测

    加电针卡采用气密设计
    支持惰性气体保护以防高压打火
    支持腔体压力监测
  • UPH能力超过1400pcs

    单测试站测试时间≤1秒

类型

参数

指标

备注

基本参数

适用裸Die尺寸

2.5*2.5mm-8*8mm

 

适用裸Die厚度

100-400μm

 

综合搬运精度

±30μm

 

控温能力

温度范围

室温~185℃

 

温度分辨率

0.1℃

 

温度稳定性

≤±3℃

 

视觉检测能力

外观检测精度

≥12μm

要求缺陷成像灰度与周边对比度超过40以上

缺陷检测项目

正面/背面:划痕、脏污、异物、炸点、缺角、崩边

可支持正面划痕(长度>30um,宽度>12um)、脏污(30um以上)、异物(30um)、炸点(30um)等缺陷检测,支持背面崩边(12um)、缺角(12um)脏污(30um)、划痕(长度>30um,宽度>12um)、残胶(30um)等缺陷检测,具体缺陷阈值需根据客户实际产品工艺的情况来定义,软件可标记缺陷位置并保留缺陷图片。 

侧面:崩边

支持侧面切割黑线(宽度>12um,长度>30um)、崩边(深度>30um,宽度>20um)等缺陷检测。 

稳定性

MTBF

>168H

 

MTBA

>2H

 

MTTA

5 min

 

MTTR

< 30 min

 

掉料率

≤0.01%

 

碎片率

≤0.01%

搬运造成

针痕深度

≤2μm

 

Drain极开尔文

≤2Ω

TiNiAg材质

测试效率

单die

≥1400pcs/h

测试时间≤1s

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