功率芯片测试
PB6600
SiC KGD测试分选系统
特点
装置分离、强扩展性
上下料部分的处理装置与测试部分分离,扩展性极强六路并行测试
最多支持6个测试站,支持动态、静态测试
静态测试 2000V/600A ,测试结果精准
室温 ~ 200 ℃:精度<±3℃,采用hard docking
系统杂散电感≤50nH氮气压力检测
探针卡采用密封腔设计,防止电弧产生UPH能力超过1400pcs
单测试站测试时间≤1秒
测试类型 |
项目 |
说明 |
静态测试参数 |
Vds |
Drain - Source Voltage |
Vth |
Gate Threshold Voltage |
|
Idss |
Zero Gate Voltage Drain Current |
|
Igss |
Gate-Source Leakage Current |
|
Rds(on) |
Drain-Source On-State Resistance |
|
Vsd |
Diode Forward Voltage |
测试类型 |
项目 |
说明 |
UIS 测试参数 |
Rint |
Gate Input Resistence |
Ciss |
Input Capacitance |
|
Coss |
Output Capacitance |
|
Crss |
Reverse Transfer Capacitance |
|
Eoss |
Coss Stored Energy |
|
交流电特性 |
Isc |
Short-circuit Current |
Td(on) |
Turn-On Delay Time |
|
Tr |
Rise Time |
|
Tf(off) |
Turn-Off Delay Time |
|
Tf |
Fall Time |
|
Eon |
Turn Off Switching Energy |
|
Eoff |
Fall Time |
|
Trr |
Reverse Recovery Time |
|
Qrr |
Reverse Recovery Charge |
|
Irrm |
Peak Reverse Recovery Current |
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