联讯晶圆级全自动老化一体机-联讯晶圆老化-晶圆老化-WLBI3800FA-苏州联讯仪器股份有限公司

晶圆级老化

WLBI3800FA

晶圆级全自动老化一体机

WLBI3800FA 系统设计用于一次进行3个晶圆的单次HTGB和HTRB老化,可以自动上料和下料，兼容2,3,4,6,8寸晶圆，双卡塞设计可以无缝老化，可以自动切换老化条件，可以对每个产品进行Vth的测试，可以根据不同配置需求满足不同成本要求，给客户进行可配置的研发应用和高容量生产应用，老化时间可以从几分钟到几十个小时，甚至几千小时，每通道单独的过电流保护来被测器件，可以提供MAP数据用于分析。

手册CN

手册EN

申请样机

特点

兼容2,3,4,6,8寸晶圆
HTGB和HTRB集成在一个抽屉
可以在线切换GB和RB老化模式
支持参数测试Idss、Igss、Vth.
支持MAP数据绑定，数据可追溯
支持3PCS晶圆同时老化
单层最高支持2112通道同时老化（通道数量可配置）
高精度漏电流测试
最高精度漏电流分辨率可以到0.1nA
支持针痕重复定位
精度±25um
支持氮气保护
防止高压打火和PAD氧化
支持卡塞上卡塞下全自动老化
支持双卡塞设计，可以进行无缝老化
高耐温设计，温控精度
抽屉加热相关都耐200度设计，最高长时间工作温度175度
温度均匀性可以做到±3℃，准确性<1℃，分辨率0.1℃

功能与优势

系统将上下料机和晶圆老化设备结合到一起，兼容2,3,4,6,8英寸晶圆老化。系统可以支持3层同时老化，可以同时支持双25PCS卡塞，可以进行顺序自动化老化，人工干预度低，自动化程度高。

夹具耐压指标
夹具最大耐压2000V

抽屉耐压指标
抽屉最大耐压2000V

参数	指标
适用产品	SiC Wafer
适用封装	6寸，8寸 Wafer
老化参数	HTGB,HTRB
测试参数	Igss,Idss,Vth
测试时间	Igss，Idss实时监控，间隔1分钟 Vth测试单颗小于1秒
系统尺寸	3800(W)X1900(H)X2100(D)
系统功耗	老化系统<30kw,上下料系统<10kw
氮气保护	>0.6mPa接入
温度范围	常温-175℃
电压范围	栅极±75V，源极2000V
系统通道	2112
系统层数	3层
支持卡塞上料	最多25PCS
上下料UPH	6min/PCS
电流电压过冲	任何情况下没有过冲
MES对接	支持MES对接

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