功率芯片测试
PB6800
SiC KGD测试分选系统
特点
出色的可扩展性
模块化设计,支持加载、卸载和多个测试站,增强多功能性六路并行测试
最多支持2个温区测试支持动态、静态、UIS测试
支持高达2000V/600A的静态测试下料模块化设计
可支持wafer/wafer+tape&reel/wafer+ auto tray下料精确的温度控制
从室温到200°C,精度为±3°C,分辨率为0.1°C气密socket设计
通过氮气保护和气压监测防止高压打火高效多站并行测试
最多6个测试站点,测试时间为0.7秒, UPH>4000良好的维护性
支持炸die自动更换socket,提升设备稼动率
类型 |
参数 |
规格 |
基本参数 |
产品类型 |
SiC,IGBT |
UPH |
最高4700,包括输入和输出 |
|
装载机 |
晶圆,自动托盘, 胶带 |
|
卸载机 |
Wafer / Wafer + Auto Tray / Wafer + Tape&Reel |
|
控温能力 |
温度范围 |
最高温度可达 200°C |
温度稳定性 |
≤±3°C |
|
检测能力 |
测试站 |
最多 6 个 |
杂散电感 |
≤40nH |
|
改装套件 |
Socket |
|
模具尺寸 |
2.5*2.5mm-8*8mm |
|
模具厚度 |
100µm- 400µm |
|
综合搬运精度 |
±30µm |
|
卸载机 |
Wafer / Wafer +Auto Tray / Wafer+Tape&Reel |
|
更换插座 |
自动 |
|
插座清洁 |
自动 |
|
AOI |
6 |
|
AOI 精确度 |
≥12µm |
|
缺陷检测 |
正面/背面:划痕、污垢、异物、裂纹、未填充的角落和崩裂 侧面:削边 |
|
稳定性 |
MTBF |
>168小时 |
MTBA |
>2小时 |
|
MTTA |
<5分钟 |
|
MTTR |
<30分钟 |
|
掉料率 |
≤0.01% |
|
碎片率 |
≤0.01% |
|
针痕深度 |
≤2µm |
|
Drain开尔文 |
≤2Ω |
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