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功率芯片测试

PB6800

SiC KGD测试分选系统


联讯仪器PB6800是一款广泛应用于半导体行业的高端KGD测试分选系统,专注于裸Die级SiC功率芯片动静态参数测试。采用模块化设计,支持Frame Ring、Tape&Reel以及Tray 等多种芯片来料方式。支持Hard Docking连接方式及多站常高温测试,具备高压防打火功能。



特点

  • 出色的可扩展性

    模块化设计,支持加载、卸载和多个测试站,增强多功能性
  • 六路并行测试

    最多支持2个温区测试
    不同测试站支持不同的测试条件和项目
  • 支持动态、静态、UIS测试

    支持高达2000V/600A的静态测试
    和1200V/2000A的动态测试
  • 下料模块化设计

    可支持wafer/wafer+tape&reel/wafer+ auto tray下料
  • 精确的温度控制

    从室温到200°C,精度为±3°C,分辨率为0.1°C
  • 气密socket设计

    通过氮气保护和气压监测防止高压打火
  • 高效多站并行测试

    最多6个测试站点,测试时间为0.7秒, UPH>4000
  • 良好的维护性

    支持炸die自动更换socket,提升设备稼动率


类型

参数

规格

基本参数

产品类型

SiC,IGBT

UPH

最高4700,包括输入和输出

装载机

晶圆,自动托盘, 胶带

卸载机

Wafer / Wafer + Auto Tray / Wafer + Tape&Reel

控温能力

温度范围

最高温度可达 200°C

温度稳定性

≤±3°C

检测能力

测试站

最多 6 个

杂散电感

≤40nH

改装套件

Socket

模具尺寸

2.5*2.5mm-8*8mm

模具厚度

100µm- 400µm

综合搬运精度

±30µm

卸载机

Wafer / Wafer +Auto Tray / Wafer+Tape&Reel

更换插座

自动

插座清洁

自动

AOI

6

AOI 精确度

≥12µm

缺陷检测

正面/背面:划痕、污垢、异物、裂纹、未填充的角落和崩裂

侧面:削边

稳定性

MTBF

>168小时

MTBA

>2小时

MTTA

<5分钟

MTTR

<30分钟

掉料率

≤0.01%

碎片率

≤0.01%

针痕深度

≤2µm

Drain开尔文

≤2Ω

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