8月21-22日，由宽禁带半导体国家工程研究中心主办、多家行业权威机构联合承办的“第三届功率器件制造测试与应用大会（IPF 2025)”在无锡隆重召开。联讯仪器现场展示了多项芯片测试方案，市场总监发表了《实现车规级可靠性： From lab to fab 的SiC测试解决方案》的主题演讲，从实际应用出发点明了SiC器件在测试中面临的关键挑战，并完整展示了联讯仪器“从实验室测试到晶圆厂制造”的一体化解决方案。

01.展位聚焦

展位现场，联讯仪器积极呈现高精度、高效率的测试方案，结合技术人员的一对一讲解，深入剖析各项技术的亮点及其具体应用场景。众多行业客户对我们推出的晶圆级老化系统WLBI3810的9层老化能力、WAT参数测试系统的1fA分辨率，KGD测试分选系统的UPH能力、动静态测试能力等相关指标表现出强烈兴趣，并驻足与技术专家探讨。

02.演讲聚焦

8月22日，联讯仪器市场总监以《实现车规级可靠性：From Lab To Fab 的SiC测试解决方案》为主题发表技术演讲。

碳化硅（SiC）功率器件在电动汽车中的广泛应用，正推动半导体测试向高电压、大电流和高温环境发展，也为制造商带来多重挑战：需在保障器件长期可靠性和功能完整性的同时，应对切割、封装及组装过程中的良率风险，并提升产能。为此，联讯推出覆盖碳化硅全生命周期的“从实验室到晶圆厂制造”一体化测试系统，提供从早期参数测试、晶圆级老化、可靠性筛选到KGD验证的完整解决方案，提升晶圆上的芯片良率，以及芯片组装到模块后的良率，助力客户加速产品验证、减少缺陷遗漏、确保质量一致性、显著提升测试效率、降低研发成本。

03总结收获

本届论坛历时两天，40+场精彩演讲，我们通过系统学习和与同仁们的深度交流，博采众长，收获颇丰。

我们对动态测试标准有了更清晰的认知，AQG-324的关键要求被剖析和细化，在测试中得到更精准的阈值电压漂移数据和SiC器件失效模式等验证，确保SiC器件性能、可靠性和一致性达到车规级要求，并最终实现从实验室走向规模化量产的关键一步。

当前，国内宽禁带半导体行业蓬勃发展，第三代半导体（以国产SiC、GaN为代表）已被纳入重点发展方向。从宽禁带半导体GaN、SiC的崛起，再到如今超宽禁带半导体氧化镓、金刚石、氮化铝的崭露头角，每一次材料的革新，都驱动着应用边界的极大拓展。在此进程中，联讯仪器愿勇担探路者之责，进一步加大研发投入，深化SiC、GaN等测试技术领域，助力行业创新与自主突破。