碳化硅晶圆老化系统 WLR075S-苏州联讯仪器股份有限公司

晶圆级老化

WLBI075S

HTGB晶圆老化系统

WLBI075S晶圆老化系统最多配置8个老化大单层，每个老化大单层支持6&8寸晶圆，每个晶圆同时进行最大1500个产品的HTGB老化，支持系统中Igss和Vth的测试，能广泛的应用在功率半导体特性，GaN、SiC表征，复合材料，晶元工艺等测试和研究领域。

手册CN

手册EN

申请样机

特点

同时支持HTGB
相比 GB&RB 兼容，这个有更高的容量
Vgs(th)测试功能
可以在老化过程中切换为
Vth测试，单颗产品测试
实时监控栅极电流
及时发现产品异常，记录异常时的数据
电流最小测量分辨率可达0.1nA
精确测量漏电流
GB电压最高75V
为后续工艺优化留Buffer
监控电流采样速率
1500颗产品轮询在1分钟以内
产品异常保护功能
有栅极保护电路，短路时可以关闭输出
加热功率，温控精度
支设计加热功率200W，＞120 ℃温度均匀性±3 ℃；＜120 ℃温度均匀性±2 ℃，温度准确性<1 ℃、分辨率0.1 ℃

功能与优势

夹具设计和整机结构

夹具分为两个部部分Chuck和Probe card。每个老化夹具可以装一片6寸晶圆或者8寸晶圆。
Probe card装有满足晶圆上die通道数量的Pogo Pin，Pogo Pin寿命为10万次压接，耐温175度，定位精度为±25um。
Chuck外框密封保压设计，最高保压0.4mPa,防止高温氧化。Chuck 内有两个温度sensor，一个作为控温使用，另一个为温度保护监控。
单层抽屉设计
每层老化系统可以独立运行，内部12块继电器板，12块电流采集板满足1500CH 晶圆老化。每个通道电路支持单路保护，当有die短路失效，可以保护线路安全，也可保护旁边产品不受影响。
整机设计
整机分为老化单层部分和电气部分。居于机架左侧，分别放置8层老化单层。机架右侧为电气箱，每层独立一个电气箱，支持每层独立运行。

栅极电压源指标
电压设置精度	量程	设置分辨率	精度(1年) ±(%读数+偏置)
	±75 V	10 mV	0.1%+0.2 V
	±20 V	5 mV	0.1%+0.1 V
过冲	<1% (典型值)
总功率	30 W
通道数量	1路（每个老化大单层）
栅极电压表指标
电压表显示精度	量程	显示分辨率	精度(1年) ±(%读数+偏置)
	±75 V	10 mV	0.1%+0.2 V
	±20 V	5 mV	0.1%+0.1 V
通道数量	1路（每个老化大单层）
栅极电流表指标
电流显示精度	量程	显示分辨率	精度(1年) ±(%读数+偏置)
	10 μA	500 pA	0.1% + 50 nA
	1μA	50 pA	0.1% + 5 nA
	100 nA	10 pA	0.1% + 0.5 nA
通道数量	12路（125路一个表）

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